к т в ш и п ) 2Т819М-В2). КТ819(А-Г)

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "к т в ш и п ) 2Т819М-В2). КТ819(А-Г)"

Транскрипт

1 2Т89А, 2Т89Б, 2Т89В, 2Т89А2, 2Т89Б2, 2Т89В2, КТ89А, КТ89Б, КТ89В, КТ89Г, КТ89АМ, КТ89БМ, КТ89ВМ, КТ89ГМ, КТ89А, КТ89Б, КТ89В, КТ89Г Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры п-р-п переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами (2Т89А 2Т89В, КТ89АМ КТ89ГМ) и пластмассовый с жесткими выводами (2Т89А2 2Т89В2, КТ89А- КТ89Г, КТ89А КТ89Г). Масса транзистора не более 20 г для 2Т89А 2Т89В, КТ89АМ-КТ89ГМ, не более 2,5 г для 2Т89А2 2Т89В2, КТ89А КТ89Г, не более 0 г для КТ89А КТ89Г. Изготовитель акционерное общество «Кремний», г. Брянск. к т в ш и п ) Т89М-В2). КТ89(А-Г) (ч 6.8 I «о V «О + '! Г N Б и 3 I ч» У

2 2Т8Ш-В). КТ89(АМ-ГМ) Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при /кь = 5 В, 4 = 5 А не менее: Гк = +25 С и Т = Тк макс: 2Т89А 2Т89В, 2Т89А2-2Т89В2, КТ89Б, КТ89БМ, КТ89Б КТ89А, КТ89В, КТ89АМ, КТ89ВМ, КТ89А, КТ89В... 5 КТ89Г, КТ89ГМ, КТ89Г Т89А 2Т89В, 2Т89А2-2Т89В2, КТ89А, КТ89В, КТ89АМ, КТ89ВМ, КТ89А, КТ89В... 0 КТ89Б, КТ89БМ, КТ89Б... 5 КТ89Г, КТ89ГМ, КТ89Г... 7 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 0,5 А *...2* МГц Граничное напряжение при 4 = 0, ма, 4 ^ 300 мкс, О > 00: КТ89А, КТ89АМ, КТ89А, не менее В КТ89Б, КТ89БМ, КТ89Б, 2Т89В, 2Т89В *...80* В КТ89В, КТ89ВМ, КТ89В, 2Т89Б, 2Т89Б *...00* В КТ89Г, КТ89ГМ, КТ89Г, 2Т89А, 2Т89А *... 0* В 2

3 Напряжение насыщения коллектор эмиттер, не более: при /к = 5 А, 4 = 0,5 А: 2Т89А 2Т89В, 2Т89А2-2Т89В2... В КТ89А-КТ89Г, КТ89АМ-КТ89ГМ 2 В КТ89А КТ89Г... 5 В при 4 = 20 А, 4 = 4 А, 2Т89А 2Т89В, 2Т89А2 2Т89В2... *..2,2*..5* В при 4 = 5 А, 4 = 3 А, КТ89А-КТ89Г, КТ89АМ КТ89ГМ * В Напряжение насыщения база эмиттер при 4 = 5 А, 4 ~ 0,5 А, не более: 2Т89А 2Т89В, 2Т89А2-2Т89В2...,5 В КТ89А КТ89Г, КТ89АМ-КТ89ГМ... 3 В КТ89А КТ89Г В Пробивное напряжение коллектор база при Т = X, 4 = МА и при Т = +25 *С, 4 = 5 м А, не менее: 2Т89А, 2Т89А В 2Т89Б, 2Т89Б В 2Т89В, 2Т89В В Пробивное напряжение коллектор эмиттер при /?бэ <00 Ом, 4 = ма, не менее: 2Т89А В 2Т89Б В 2Т89В В Пробивное напряжение эмиттер база при /э = 5 ма, не менее... 5 В Обратный ток коллектора при 64б = М макс для КТ89А КТ89Г, КТ89АМ-КТ89ГМ, КТ89А КТ89Г, не более: Гк = С... ма Т = +00 С... 0 ма Время выключения при 4 = 5 А, 4 = А, не более... 2,5* мкс Емкость коллекторного перехода при С/Кв = 5 В 360*...600* * пф Емкость эмиттерного перехода при (4э = В, Т - МГц, не более * пф Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор база: 2Т89А, 2Т89А В 3

4 2Т89Б, 2Т89Б В 2Т89В, 2Т89В В Постоянное напряжение коллектор эмиттер при Ябэ ^ 00 Ом, Т ~ Гмии С; +40 С для 2Т89А2 2Т89В2: КТ89А, КТ89АМ, КТ89А В КТ89Б, КТ89БМ, КТ89Б В КТ89В, КТ89ВМ, КТ89В В КТ89Г В 2Т89А2, 2Т89А, КТ89Г, КТ89ГМ В 2Т89Б2, КТ89Б В 2Т89В2, 2Т89В В Постоянное напряжение база эмиттер... 5 В Постоянный ток коллектора: КТ89А КТ89Г... 0 А 2Т89А 2Т89В, 2Т89А2-2Т89В2, КТ89АМ КТ89ГМ, КТ89А-КТ89Г... 5 А Импульсный ток коллектора при 7И< 0 мс, О > 00 и 0> 2 для 2Т89А2-2Т89В2: КТ89А КТ89Г... 5 А 2Т88А2-2Т89В2, 2Т89А-2Т89В, КТ89АМ-КТ89ГМ, КТ89А-КТ89Г А Постоянный ток базы... 3 А Импульсный ток базы при 7И^ 0 мс, 0> А Постоянная рассеиваемая мощность коллекторапри Гк = Ттн +25 С: с теплоотводом: 2Т89А2-2Т89В Вт КТ89А КТ89Г Вт 2Т89А 2Т89В, КТ89АМ-КТ89ГМ, КТ89А КТ89Г Вт без теплоотвода: 2Т89А2-2Т89В2... Вт КТ89А-КТ89Г...,5 Вт КТ89АМ-КТ89ГМ, КТ89А-КТ89Г 2 Вт 2Т89А 2Т89В... 3 Вт При Гк > +25 *С для 2Т89А 2Т89В А с макс = (^п, макс для транзисторов с теплоотводом и? к )/» 2 5, Вт, А с МАКС = (^П МАКС _ Т )/4 \,Ь, В т, 4

5 без теплоотвода; для КТ89А КТ89Г Рк уменьшается на 0,6 В т/*с с теплоотводом и на 0,05 В т/ С без теплоотвода, для КТ89АМ КТ89ГМ на Вт/ С с теплоотводом и на 0,02 В т/*с без теплоотвода; для 2Т89А2 2Т89В2 уменьшается линейно на 0,32 В т/ С с теплоотводом и на 8 м Вт/*С без теплоотвода. Температура р -п перехода: 2Т89А 2Т89В, 2Т89А2-2Т89В2, КТ89А-КТ89Г вс КТ89А КТ89Г, КТ89АМ-КТ89ГМ С Температура окружающей среды: 2Т89А-2Т89В Гк = = +25 вс 2Т89А2 2Т89В Г К= = +00 С КТ89А КТ89Г, КТ89АМ-КТ89ГМ, КТ89А КТ89Г ГК= = +00 С Пайка выводов транзисторов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено. Допускается пайка без теплоотвода и пайка групповым методом. Температура припоя +260 С, время пайки не более 3 с, время лужения выводов не более 2 с. Допустимое значение статического потенциала 000 В. При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый вывод должен присоединяться первым и отключаться последним. в,а т т -в ) К Ж А -П Т8Ш 2-В 2) К6ЩШМ) Г Оку 0.4 ) / Ц63>В Входная характеристика Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера 5

6 Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения коллектор эмиттер от тока коллектора Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения база эмиттер от тока коллектора Зависимости пробивного напряжения коллектор эмиттер от температуры к.а Ж 22 (. 6К)' и Ж Области максимальных режимов Зависимости коэффициента К от длительности импульса 6

7 Оюй, м к с Л З к х, ноже (00м) / 0,6 0,6 0,2 2ТШ-8}.? т (А2-82) < / > <с * 0 2 < 6 0 *2 <60* 8ВЗ,0м ТК.'С Зона возможных положений зависимости максимально допустимого напряжения коллектор эмиттер от сопротивления база эмиттер Зависимости максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от температуры корпуса!'.а < <06080 II& В Выходные характеристики Области максимальных режимов 7

ООО компания "Электроника и связь" тел. (473) ,

ООО компания Электроника и связь тел. (473) , 2Т818Б2, 2Т818В2, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, КТ818А1, КТ818Б1, КТ818В1, К7818Г1 Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры р-п-р переключательные. Предназначены для применения

Подробнее

2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В, 2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2

2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В, 2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2 2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В, 2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2 Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры р-п-р составные усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Транзисторы

Подробнее

2Т825(А-В), КТ825(2-Е)

2Т825(А-В), КТ825(2-Е) 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2, 2Т825А-5, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих

Подробнее

2 Т 83 и А -Г) 2Т831 (В-1. Г-1)

2 Т 83 и А -Г) 2Т831 (В-1. Г-1) 2Т831А, 2Т831Б, 2Т831В, 2Т831Г, 2Т831В-1, 2Т831Г-1 Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры л-р-л усилительные. Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях.

Подробнее

ИЗОб(А-Г). К И Ш А -Л )

ИЗОб(А-Г). К И Ш А -Л ) 2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г, КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д, КТ306АМ, КТ306БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры переключательные и усилительные

Подробнее

2 Т909(А,Б), КТ909(А-Г)

2 Т909(А,Б), КТ909(А-Г) 2Т909А, 2Т909Б, КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах

Подробнее

2Т8621Б-Г), КТ86ЯБ-Г)

2Т8621Б-Г), КТ86ЯБ-Г) 2Т862А, 2Т862Б, 2Т862В, 2Т862Г, КТ862Б, КТ862В, КТ862Г Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п переключательные. Предназначены для применения в схемах импульсных модуляторов, вторичных

Подробнее

2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, 2Т827А-5, КТ827А, КТ827Б, КТ827В

2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, 2Т827А-5, КТ827А, КТ827Б, КТ827В 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, 2Т827А-5, КТ827А, КТ827Б, КТ827В Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты,

Подробнее

2Т368А, 2Т368Б, 2Т368А9, 2Т388Б9, КТ368А, КТ368Б, КТ368АМ, КТ368БМ, КТ368А9, КТ368Б9, КТ388А-5

2Т368А, 2Т368Б, 2Т368А9, 2Т388Б9, КТ368А, КТ368Б, КТ368АМ, КТ368БМ, КТ368А9, КТ368Б9, КТ388А-5 2Т368А, 2Т368Б, 2Т368А9, 2Т388Б9, КТ368А, КТ368Б, КТ368АМ, КТ368БМ, КТ368А9, КТ368Б9, КТ388А-5 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п усилительные. Предназначены для использования

Подробнее

П29, П29А, П30, П31, П31А, П32

П29, П29А, П30, П31, П31А, П32 П29, П29А, П30, П31, П31А, П32 Германиевые сплавные транзисторы малой мощности, среднечастотные, проводимость p-n-p. Предназначены для работы в радиотехнической аппаратуре в переключающих и импульсных

Подробнее

2T9105АС, К Т 9105А С

2T9105АС, К Т 9105А С 2Т9105АС, КТ9105АС Сборки из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях в диапазоне частот 100...500

Подробнее

П307, П307А, П307Б, П307В, П307Г, П308, П309

П307, П307А, П307Б, П307В, П307Г, П308, П309 П307, П307А, П307Б, П307В, П307Г, П308, П309 Транзисторы кремниевые планарные высоковольтные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах широкополосных и высоковольтных

Подробнее

КТ368АМ, БМ, ВМ кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор

КТ368АМ, БМ, ВМ кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор КТ368АМ, БМ, ВМ кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в усилительных в усилительных схемах

Подробнее

П414, П414А, П414Б, П415, П415А, П415Б

П414, П414А, П414Б, П415, П415А, П415Б П414, П414А, П414Б, П415, П415А, П415Б Транзисторы германиевые диффузионные р-п-р маломощные. Предназначены для работы в режимах усиления и генерирования в диапазоне от длинных до ультракоротких волна

Подробнее

П605, П605А, П606, П606А

П605, П605А, П606, П606А П605, П605А, П606, П606А Германиевые конверсионные высокочастотные p-n-p транзисторы. Предназначены для работы в высокочастотных и быстродействующих импульсных схемах. Выпускаются в металлическом герметичном

Подробнее

2Т950А, 2Т950Б 2Т950(А,Б) Электрические параметры

2Т950А, 2Т950Б 2Т950(А,Б) Электрические параметры 2Т950А, 2Т950Б Транзисторы кремниевые эпитаксиальнопланарные структуры прп усилительные линейные. Транзистор 2Т950А предназначен для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот 30...80 МГц

Подробнее

П302, П303, П303А, П304, П306, П306А

П302, П303, П303А, П304, П306, П306А , П303, П303А, П304, П306, П306А Транзисторы большой мощности низкочастотные кремниевые p-n-p. Предназначены для применения в усилительных и переключательных схемах, работающих при повышенной температуре

Подробнее

2Т6Ш-2. 2T6WAU2, КТ6ЩА-2 - В-2)

2Т6Ш-2. 2T6WAU2, КТ6ЩА-2 - В-2) 2Т640А-2, 2Т640А1-2, 2Т640А-5, 2Т640А-6, КТ640А-2, КТ640Б-2, КТ640В-2 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилительных и генераторных

Подробнее

2Т3115А 2, 2Т3115Б-2, 2Т3115А-6, КТ3115А-2, КТ3115В 2, КТ3115Г-2, КТ3115Д-2

2Т3115А 2, 2Т3115Б-2, 2Т3115А-6, КТ3115А-2, КТ3115В 2, КТ3115Г-2, КТ3115Д-2 2Т3115А 2, 2Т3115Б-2, 2Т3115А-, КТ3115А-2, КТ3115В 2, КТ3115Г-2, КТ3115Д-2 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначен для

Подробнее

2Т9]7(А-2, Б-2). КТ937(А-2, Б-2)

2Т9]7(А-2, Б-2). КТ937(А-2, Б-2) 2Т937А-2, 2Т937Б-2, 2Т937А-5, КТ937А-2, КТ937Б 2 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне частот

Подробнее

П416, П416А, П416Б. Электрические параметры Предельная частота усиления по току в схеме с ОБ при Uкб = 5 В, Iэ = 5 ма не менее:

П416, П416А, П416Б. Электрические параметры Предельная частота усиления по току в схеме с ОБ при Uкб = 5 В, Iэ = 5 ма не менее: П416, П416А, Транзисторы германиевые диффузионные р-п-р усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в импульсных схемах и радиотехнических устройствах в диапазоне коротких и ультракоротких

Подробнее

2Т988А, 2Т988Б 2Т988(А,Б) Электрические параметры

2Т988А, 2Т988Б 2Т988(А,Б) Электрические параметры 2Т988А, 2Т988Б Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в генераторах и усилителях в схеме с общей базой в непрерывном и импульсном режиме

Подробнее

П209, П209А, П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш

П209, П209А, П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш П209, П209А, П210, П210А,, П210Ш Транзисторы большой мощности низкочастотные германиевые сплавные p-n-p. Предназначены для работы в аппаратуре в режимах усиления и переключения мощности. Транзисторы конструктивно

Подробнее

2Т9118А, 2Т9118Б, 2Т9118В

2Т9118А, 2Т9118Б, 2Т9118В , 2Т9118Б, 2Т9118В Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генераторнью. Предназначены для применения в схеме с общей базой в усилителях мощности, автогенераторах и умножителях частоты

Подробнее

П401, П402, П403, П403А

П401, П402, П403, П403А ,,, А Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах коротких и ультракоротких волн, а также

Подробнее

П4А(Э), П4Б(Э), П4В(Э), П4Г(Э), П4Д(Э)

П4А(Э), П4Б(Э), П4В(Э), П4Г(Э), П4Д(Э) (Э), (Э), (Э), П4Г(Э), П4Д(Э) Германиевые плоскостные p-n-p транзисторы типа П4 предназначены для усиления мощности электрических сигналов звуковой частоты. Транзисторы (Э) и (Э) также предназначены для

Подробнее

П13, П13А, П13Б, П14, П14А, П14Б, П15, П15А

П13, П13А, П13Б, П14, П14А, П14Б, П15, П15А П13,, П13Б, П14, П14А, П14Б, П15, П15А Германиевые плоскостные транзисторы типа П13,, П14, П15 предназначены для усиления электрических сигналов промежуточной частоты. Транзистор П13Б предназначен для

Подробнее

2Т642А-2, 2Т642А-5, 2Т642А1-5, КТ642А-2, КТ642А-5

2Т642А-2, 2Т642А-5, 2Т642А1-5, КТ642А-2, КТ642А-5 2Т642А-2, 2Т642А-5, 2Т642А1-5, КТ642А-2, КТ642А-5 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне частот

Подробнее

2Т648А-2, 2Т648А-5, КТ648А-2, КТ648А-5

2Т648А-2, 2Т648А-5, КТ648А-2, КТ648А-5 2Т648А-2, 2Т648А-5, КТ648А-2, КТ648А-5 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в генераторах и усилителях в диапазоне частот 1...12 ГГц

Подробнее

2 Т С 6 Ш Я КГС613(А-Г)

2 Т С 6 Ш Я КГС613(А-Г) 2ТС613А, 2ТС613Б, КТС613А, КТС613Б, КТС613В, КТС613Г Транзисторные матрицы, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры п-р-п переключающих высокочастотных

Подробнее

Эпектрмческме параметры

Эпектрмческме параметры 1Т320А, 1Т3206, 1Т320В, ГТ320А, ГТ3206, ГТ320В Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры р-п-р переключательные. Предназначены для применеv ния в усилителях высоком частоты и переключающих

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для примене ния в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25 Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для применения в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

П201, П201Э, П201А, П201АЭ, П202, П202Э, П203, П203Э

П201, П201Э, П201А, П201АЭ, П202, П202Э, П203, П203Э П201, П201Э, П201А, П201АЭ, П202, П202Э, П203, П203Э Общие данные Германиевые плоскостные (сплавные) p-n-p транзисторы. Основные области применения - усилители мощности низкой частоты (0,5 10 вт), преобразователи

Подробнее

Мощный кремниевый n-p-n транзистор

Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б1 Мощный кремниевый n-p-n транзистор Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б1 в металлокерамическом корпусе КТ-19А-3 с планарными выводами. Предназначен для работы в импульсных устройствах радиоаппаратуры,

Подробнее

Мощный кремниевый n-p-n транзистор

Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б Мощный кремниевый n-p-n транзистор Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б в металлостеклянном корпусе КТ-97В с неизолированным фланцем и планарными выводами. Предназначен для работы в импульсных

Подробнее

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT)

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) 2Е802А Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) Мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный транзистор с изолированным затвором и nканалом (IGBT) 2Е802А в металлостеклянном корпусе

Подробнее

КТ541А кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор

КТ541А кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор КТ541А кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в выходных каскадах

Подробнее

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ И N КАНАЛОМ

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ И N КАНАЛОМ КП55А КП55Г АДБК.43214.691 ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором, обогащением N-канала транзисторы КП55А, КП55Б, КП55В, КП55Г в пластмассовом корпусе КТ-26, предназначены

Подробнее

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ КП81А КП81Б КП81В КП81Г аа. 336. 64 ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные N-канальные полевые транзисторы КП81А, КП81Б, КП81В, КП81Г в металлостеклянном корпусе КТ-9 предназначены для работы в выходных

Подробнее

2Т982А-2 2Т982А-2, 2Т982А-5

2Т982А-2 2Т982А-2, 2Т982А-5 2Т982А-2, 2Т982А-5 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, генераторах, умножителях в диапазоне частот 3...7 ГГц

Подробнее

2Т845А/ИМ переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор

2Т845А/ИМ переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор 2Т845А/ИМ переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор Назначение Кремниевый планарный переключательный мощный n-р-n транзистор в металлостеклянном корпусе. Предназначен для использования в

Подробнее

Электрические параметры

Электрические параметры 2П923А, 2П923Б, 2П923В, 2П923Г, КП923А, КП923Б, КП923В, КП923Г Транзисторы полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом /7-типа генераторные. Предназначены для применения

Подробнее

КТ8304 транзистор с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения. Назначение

КТ8304 транзистор с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения. Назначение КТ8304 транзистор с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения Назначение Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные, n-р-n, с интегральным демпферным диодом, предназначенные для использования

Подробнее

1НТ251, 1НТ251А, 1НТ251А 1, К1НТ251

1НТ251, 1НТ251А, 1НТ251А 1, К1НТ251 НТ25, НТ25А, НТ25А, КНТ25 Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых эnитаксиально-планарных структуры п-р-п переключательных транзисторов. Предназначены для применения в переключаюv щих устроиствах.

Подробнее

Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ транзистор Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-4-2 Золотая металлизация

Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ транзистор Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-4-2 Золотая металлизация T9А/ВЭ Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор Описание Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ транзистор Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-- Золотая металлизация Основное назначение

Подробнее

Д808, Д808А, Д809, Д809А, Д810, Д810А, Д811, Д811А, Д813

Д808, Д808А, Д809, Д809А, Д810, Д810А, Д811, Д811А, Д813 , А,, А,, А,, А, Стабилитроны кремниевые сплавные малой мощности. Предназначены для стабилизации напряжения 7...14 В в диапазоне токов стабилизации 3...33 ма. Выпускаются в металлостеклянном герметизированном

Подробнее

2ТД8307А9 составной биполярный n-p-n транзистор

2ТД8307А9 составной биполярный n-p-n транзистор 2ТД8307А9 составной биполярный n-p-n транзистор Назначение Кремниевый эпитаксиально планарный составной биполярный n-p-n транзистор предназначен для использования в усилителях, электронных коммутационных

Подробнее

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT)

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) 2Е802Б Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) Мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный транзистор с изолированным затвором и nканалом (IGBT) 2Е802Б в металлостеклянном корпусе

Подробнее

2Т839А/ИМ переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор

2Т839А/ИМ переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор 2Т839А/ИМ переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор Назначение Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор. Предназначен для использования в схемах вторичных источников электропитания,

Подробнее

Задачи для подготовки к контрольным работам и зачету по курсу «Электрические цепи непрерывного действия»

Задачи для подготовки к контрольным работам и зачету по курсу «Электрические цепи непрерывного действия» Задачи для подготовки к контрольным работам и зачету по курсу «Электрические цепи непрерывного действия» Обозначения: б базовая (относительно простая) задача; у усложненная Раздел 1. Статические режимы

Подробнее

КП7173А полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном

КП7173А полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном КП773А полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном Назначение Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором,

Подробнее

±30. КП7173А Полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном.

±30. КП7173А Полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном. КП773А Полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном Назначение Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором,

Подробнее

I К max. I К И max. Р К мах

I К max. I К И max. Р К мах Биполярные транзисторы с приемкой «5» Наимен. Максимально допустимые параметры V КЭ огр V КБО проб I К max I К И max Р К мах Основные электрические параметры h 21Э U КЭ max t рас t сп B B А А Вт ед. B

Подробнее

КТД8303 составной биполярный транзистор Дарлингтона с демпферным диодом для автомобильной электроники. Назначение

КТД8303 составной биполярный транзистор Дарлингтона с демпферным диодом для автомобильной электроники. Назначение КТД833 составной биполярный транзистор Дарлингтона с демпферным диодом для автомобильной электроники Назначение Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные, составные (Дарлингтона), n-р-n, с интегральными

Подробнее

СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ К817ЕН2

СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ К817ЕН2 ОКП 42 4512 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ К817ЕН2 ПАСПОРТ 6ПИ.387.275 ПС 1. НАЗНАЧЕНИЕ 1.1. Стабилизаторы напряжения К817ЕН2 (в дальнейшем стабилизаторы) предназначены для питания стабилизированным напряжением

Подробнее

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ КП82А КП82Б аа. 336. 82 ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные N-канальные полевые транзисторы КП82А, КП82Б в металлостеклянном корпусе КТ-9 предназначены для работы в схемах преобразователей постоянного

Подробнее

Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации: ВНЕШНИЕ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИЕ ФАКТОРЫ

Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации: ВНЕШНИЕ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИЕ ФАКТОРЫ ДИОДЫ СВЧ 2А542А1 Диоды 2А542А1 полупроводниковые СВЧ, кремниевые эпитаксиальные переключательные в металлокерамическом корпусе предназначены для работы в коммутационных устройствах СВЧ диапазона волн

Подробнее

КТ8301А-5 Мощный транзистор с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения

КТ8301А-5 Мощный транзистор с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения КТ831А-5 Мощный транзистор с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения Назначение Транзисторы кремниевые, бескорпусные, эпитаксиально-планарные, n-p-n, мощные, с демпферным диодом, с контактными

Подробнее

КТД540А кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n составной транзистор

КТД540А кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n составной транзистор КТД540А кремниевый биполярный эпитаксиальнопланарный npn составной транзистор Назначение КТД540А кремниевый эпитаксиальнопланарный составной npn транзистор Дарлингтона с интегральным резистором и демпферным

Подробнее

2П90НА.Б). КП90КА.Б)

2П90НА.Б). КП90КА.Б) 2П901А, 2П901Б, 2П901А-5, 2П901Б-5, КП901А, КП901Б Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом л-типа генераторные. Предназначены для применения в усилит

Подробнее

Кремниевые эпитаксиально-планарные выпрямительные диоды 2Д103А1/СО ОСМ

Кремниевые эпитаксиально-планарные выпрямительные диоды 2Д103А1/СО ОСМ Кремниевые эпитаксиально-планарные выпрямительные диоды 2Д103А1/СО 2Д103А1/СО ОСМ АЕЯР.432120.174 ТУ АЕЯР.432120.174 ТУ П0.070.052 Масса диода: 1,5 г. Наименование параметра, единица измерения, (режим

Подробнее

2ДШ142Ахх диод с барьером Шоттки сборка диодная с барьером Шоттки

2ДШ142Ахх диод с барьером Шоттки сборка диодная с барьером Шоттки 2ДШ142Ахх диод с барьером Шоттки сборка диодная с барьером Шоттки Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные диод 2ДШ142А9 и сборка диодная 2ДШ142АС9 (состоит из двух соединенных последовательно диодов)

Подробнее

АП603 А1-2, АП603Б1-2 ЗП603 AU2. ЗП603Б1-2

АП603 А1-2, АП603Б1-2 ЗП603 AU2. ЗП603Б1-2 ЗП603А-2, ЗП603Б-2, ЗП603А1-2, ЗП603Б1-2, ЗПбОЗА-5, ЗП603Б-5, АП603А-2, АП603Б-2, АП603А1 2, АП603Б1 2, АП603А-5, АП603Б-5 Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиальнопланарные с барьером Ш отки

Подробнее

СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ К817ЕН1

СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ К817ЕН1 ОКП 42 4512 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ К817ЕН1 ПАСПОРТ 6ПИ.387.276 ПС 1. НАЗНАЧЕНИЕ 1.1. Стабилизаторы напряжения К817ЕН1 (в дальнейшем стабилизаторы) предназначены для питания стабилизированным напряжением

Подробнее

400 В сток-исток Максимально допустимый постоянный 10,0 А

400 В сток-исток Максимально допустимый постоянный 10,0 А N-канальный MOSFET Краткая характеристика Сопротивление сток-исток в открытом состоянии не более 0.55 Ом при U ЗИ = 10 В Заряд затвора (номинальная 38 нкл) Максимально допустимая температура перехода 150

Подробнее

В 400 Максимально допустимый постоянный 6,0 А

В 400 Максимально допустимый постоянный 6,0 А N-канальный MOSFET Краткая характеристика Сопротивление сток-исток в открытом состоянии не более 0.95 Ом при U ЗИ = 10 В Заряд затвора (номинальная 25 нкл) Максимально допустимая температура перехода 150

Подробнее

2Д906(А -В). КД906(А-Е)

2Д906(А -В). КД906(А-Е) 2Д906А, 2Д906Б, 2Д906В, КД906А, КД906Б, КД906В, КД906Г, КД906Д, КД906Е Диодные матрицы» состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов. Предназначены для применения в качестве выпрямительного

Подробнее

2ПЗСЗ(А-И), КП303(А~и;

2ПЗСЗ(А-И), КП303(А~и; П303А, П303Б, П303В, П303Г, П303Д, П303Е, П303И, КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КП303Г, КП303д, КПЗОЗЕ, кпзозж, кпзози Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе р-/? перехода

Подробнее

МОДУЛЯТОРЫ АМПЛИТУДЫ СИГНАЛОВ МОЩНОСТЬЮ ВТ ДИАПАЗОНА МГЦ (Электросвязь С ) Александр Титов

МОДУЛЯТОРЫ АМПЛИТУДЫ СИГНАЛОВ МОЩНОСТЬЮ ВТ ДИАПАЗОНА МГЦ (Электросвязь С ) Александр Титов МОДУЛЯТОРЫ АМПЛИТУДЫ СИГНАЛОВ МОЩНОСТЬЮ 10...100 ВТ ДИАПАЗОНА 10...450 МГЦ (Электросвязь. 2007. 12. С. 46 48) Александр Титов 634034, Россия, г. Томск, ул. Учебная, 50, кв. 17. Тел. (382-2) 55-98-17, E-mail:

Подробнее

Защита блока питания от перегрузки.

Защита блока питания от перегрузки. Защита блока питания от перегрузки. (с изменениями) Рассмотрим изначальную схему, показанную на Рис. 1. И возьмем для примера в качестве VT1 транзистор ГТ404Д. Согласно справочным данным статический коэффициент

Подробнее

Микросхемы управления регулируемым элементом 142ЕП2Т

Микросхемы управления регулируемым элементом 142ЕП2Т Напряжение питания 2,5 25 В Диапазон рабочих температур минус 60 С +125 С Металлокерамический корпус 4112.16-15.01 Наработка до отказа не менее 100 000 часов Категория качества «ВП» Технические условия

Подробнее

ДИОДЫ СВЧ ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЕ

ДИОДЫ СВЧ ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЕ 2А 522А -2 ДИОДЫ СВЧ ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЕ Диоды 2А522А-2, 2А522А-5 полупроводниковые СВЧ кремниевые планарно-эпитаксиальные ограничительные бескорпусные предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре

Подробнее

ГОСТ (СТ СЭВ ) Транзисторы силовые. Методы измерений

ГОСТ (СТ СЭВ ) Транзисторы силовые. Методы измерений ГОСТ 27264-87(СТ СЭВ 5538-86) Транзисторы силовые. Методы измерений Группа Е69 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДAPT СОЮЗА ССР Дата введения 01.01.1988 ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ 1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электротехнической

Подробнее

DC-DC КОНВЕРТЕР. Номер вывода

DC-DC КОНВЕРТЕР. Номер вывода НТЦ СИТ НАУЧНОТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ интегральная микросхема управления, содержащая основные функции, требуемые для DCDC конвертеров. Она

Подробнее

5.3. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

5.3. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 5.3. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ В усилителе на БТ транзистор должен работать в активном режиме, при котором эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный в обратном.

Подробнее

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ.

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК НТЦ СИТ DC-DC КОНВЕРТЕР ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ - интегральная микросхема управления, содержащая основные функции, требуемые для DC-

Подробнее

Микросборка 2609КП1П АЯЕР ТУ

Микросборка 2609КП1П АЯЕР ТУ Микросборка 269КПП АЯЕР.436.84 ТУ Код ОКП 63332973. Код ЕКПС 963 Нормально разомкнутый полупроводниковый твердотельный коммутатор в гибридном исполнении с гальванической оптоэлектронной развязкой для коммутации

Подробнее

«Расчет характеристик усилителя мощности на отечественных биполярных транзисторах в диапазоне от 1 до 2 ГГц» АВТОРЕФЕРАТ МАГИСТЕРСКОЙ РАБОТЫ

«Расчет характеристик усилителя мощности на отечественных биполярных транзисторах в диапазоне от 1 до 2 ГГц» АВТОРЕФЕРАТ МАГИСТЕРСКОЙ РАБОТЫ Министерство образования и науки Российской Федерации ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САРАТОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Подробнее

ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. Рисунок 1. Рисунок 2

ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. Рисунок 1. Рисунок 2 ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Методические указания по темам курса Изучение данного раздела целесообразно проводить, базируясь на курсе физики и руководствуясь программой курса. Усилители на биполярных транзисторах

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ-20-06. Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ-20-06. Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора М6ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ трехфазный мост корпус Econopack 2 с короткими выводами под пайку встроенные быстродействующие диоды обратного тока изолированное основание I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin

Подробнее

Регулируемые LDO-стабилизаторы напряжения положительной полярности 142ЕР3У

Регулируемые LDO-стабилизаторы напряжения положительной полярности 142ЕР3У Минимальное падение напряжения 0,4 В Входное напряжение до 16 В Диапазон рабочих температур минус 60 С +125 С Металлокерамический корпус Н02.8-2В Категория качества «ВП» Технические условия АЕЯР.431420.363-02

Подробнее

3.Транзисторные усилительные каскады (расчет по переменному току)

3.Транзисторные усилительные каскады (расчет по переменному току) 3.Транзисторные усилительные каскады (расчет по переменному току) Введение Приведенные ниже задачи связаны с расчетом параметров усилительных каскадов, схемы которых рассчитаны по постоянному току в предыдущей

Подробнее

Задачи к контрольной работе 1 по курсу «Схемотехника» «Ключи на биполярных транзисторах. Статический режим работы ключа».

Задачи к контрольной работе 1 по курсу «Схемотехника» «Ключи на биполярных транзисторах. Статический режим работы ключа». Задачи к контрольной работе 1 по курсу «Схемотехника» «Ключи на биполярных транзисторах. Статический режим работы ключа». ЗАДАНИЕ 1 Транзистор насыщен. Можно ли перевести его в активный режим и режим отсечки,

Подробнее

6П6С. Междуэлектродные емкости, пф Входная 9,5 +- 1,6. Выходная 9, Проходная не более 0,9.

6П6С. Междуэлектродные емкости, пф Входная 9,5 +- 1,6. Выходная 9, Проходная не более 0,9. (выходной лучевой тетрод) 6П6С Основные размеры лампы 6П6С. Общие данные Лучевой тетрод 6П6С предназначен для усиления мощности низкой частоты. Применяется в выходных однотактных и двухтактных схемах приемников

Подробнее

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ 2А517А-2 2А517Б-2 Диоды 2А517А-2, 2А517Б-2 полупроводниковые СВЧ кремниевые эпитаксиальные переключательные с p-i-п структурой бескорпусные предназначены для применения в радиоэлектронной

Подробнее

R К. Рис. 1. Принципиальные схемы каскадов: а - с общим эмиттером (ОЭ); б - с общей базой (ОБ); в - с обшим коллектором (ОК)

R К. Рис. 1. Принципиальные схемы каскадов: а - с общим эмиттером (ОЭ); б - с общей базой (ОБ); в - с обшим коллектором (ОК) Лабораторная работа 2 «Исследование усилительных каскадов на биполярных транзисторах» Цель работы практическое ознакомление с особенностью усилительных каскадов с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ),

Подробнее

Допустимое значение потенциала статического электричества 2000 В. Таблица 1 - Отличие микросхем по схеме электрической

Допустимое значение потенциала статического электричества 2000 В. Таблица 1 - Отличие микросхем по схеме электрической Восьмиканальный токовый драйвер по схеме Дарлингтона (Функциональный аналог TD62083AFN, TD62084AFN ф. Toshiba) Микросхемы ILN62083D, ILN62083N, ILN62084D, ILN62084N представляют собой восьмиканальный токовый

Подробнее

Основные характеристики

Основные характеристики ЕУ(7У-0У) Диапазон напряжения питания, В Рабочая частота до 00 кгц Диапазон рабочих температур + С Металлокерамический корпус Н0.-В Категория качества «ВП» Технические условия АЕЯР.000.79-0 ТУ Предназначены

Подробнее

2.2. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

2.2. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 2.2. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Средняя область транзистора называется базой, одна крайняя область эмиттером (Э), а другая коллектором (К). Обычно концентрация примесей в эмиттере больше, чем в коллекторе.

Подробнее

КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор

КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор Назначение Тиристоры КУ405А (8А, 600В) и КУ405Б (8А, 800В) кремниевые триодные, не проводящие в обратном направлении, с управлением по катоду. Предназначены

Подробнее

НОВЕЙШИЕ РАЗРАБОТКИ ООО "КРИП ТЕХНО" 2019 г.

НОВЕЙШИЕ РАЗРАБОТКИ ООО КРИП ТЕХНО 2019 г. НОВЕЙШИЕ РАЗРАБОТКИ ООО "КРИП ТЕХНО" 2019 г. N-P-N транзисторы 2Т528А9 Д9 в малогабаритном корпусе КТ-47 Для работы в усилителях, в качестве переключателя в бесконтактных коммутирующих устройствах, для

Подробнее

Резисторы постоянные непроволочные прецизионные С2-14.

Резисторы постоянные непроволочные прецизионные С2-14. Резисторы постоянные непроволочные прецизионные С2-14. Постоянные непроволочные неизолированные негерметичные прецизионные резисторы С2-14 предназначены для работы в электрических цепях постоянного, переменного

Подробнее

1.1 Усилители мощности (выходные каскады)

1.1 Усилители мощности (выходные каскады) Лекция 9 Тема 9 Выходные каскады 1.1 Усилители мощности (выходные каскады) Каскады усиления мощности обычно являются выходными (оконечными) каскадами, к которым подключается внешняя нагрузка, и предназначены

Подробнее

2П524 N-канальный МОП транзистор

2П524 N-канальный МОП транзистор 2П524 N-канальный МОП транзистор Назначение 2П524 - кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, с обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, предназначенный

Подробнее

( 3 2 Щ ^ ипах. Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации: Диод 2А547А-3 aa ТУ

( 3 2 Щ ^ ипах. Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации: Диод 2А547А-3 aa ТУ ДИОДЫ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ 2AS47A-3 2А547Г-3 Диоды 2А547А-3, 2А547Б-3, 2А547В-3, 2А547Г-3 кремниевые диффузионные с малым током управления быстродействующие СВЧ переключательные бескорпусные предназначены

Подробнее

Рабочее задание. 1.3 Для схемы усилительного каскада ОК (рисунок 2) и указанных

Рабочее задание. 1.3 Для схемы усилительного каскада ОК (рисунок 2) и указанных Лабораторная работа 2 Исследование усилительных каскадов на биполярных транзисторах Цель работы Изучение работы усилительных каскадов на биполярных транзисторах, определение основных параметров и их расчет

Подробнее

Транзисторы предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот до 230МГц. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Транзисторы предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот до 230МГц. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации Кремниевый мощный ВЧ полевой транзистор Описание Кремниевый n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по DMOS технологии Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-83 Золотая металлизация

Подробнее

Технические спецификации Серия Микросхемы стабилизаторов напряжения отрицательной полярности. Серия 1343

Технические спецификации Серия Микросхемы стабилизаторов напряжения отрицательной полярности. Серия 1343 Микросхемы стабилизаторов напряжения отрицательной полярности Микросхемы стабилизаторов напряжения отрицательной полярности с фиксированными выходными напряжениями 1343ЕИ5У, 1343ЕИ5.2У, 1343ЕИ6У, 1343ЕИ8У,

Подробнее