Диод низкочастотный Д х-16

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Диод низкочастотный Д х-16"

Транскрипт

1 Диод низкочастотный Д161-х-16 Средний прямой ток I FAV A Повторяющееся импульсное обратное напряжение U RRM 3-16 В U RRM, В Класс по напряжению , C 6 19 ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ Обозначение и наименование параметра Параметры в проводящем состоянии Ед. изм. I FAV Средний прямой ток A Значение 48 I FRMS Действующий прямой ток A 628 I FSM Ударный ток кa I 2 t Защитный фактор A 2 с. 1 3 Блокирующие параметры U RRM Повторяющееся импульсное обратное напряжение U RSM Неповторяющееся импульсное обратное напряжение В 3 16 В Условия измерения T c=115 C; T c=1 C; 18 эл. град. синус; 5 Гц T c=115 C; 18 эл. град. синус; 5 Гц = max =25 C = max =25 C = max =25 C = max =25 C 18 эл. град. синус; t p=1 мс; единичный импульс; U R= В; 18 эл. град. синус; t p=8.3 мс; единичный импульс; U R= В; 18 эл. град. синус; t p=1 мс; единичный импульс; U R= В; 18 эл. град. синус; t p=8.3 мс; единичный импульс; U R= В; min< < max; 18 эл. град. синус; 5 Гц min< < max; 18 эл. град. синус; единичный импульс U R Постоянное обратное напряжение В.6. U RRM = max Тепловые параметры T stg Температура хранения C 6 5 Температура p-n перехода C 6 19 Механические параметры M Крутящий момент затяжки Нм 2 3 a Ускорение м/с 2 1 asenergi Д161-х-16 1 из 1

2 Обозначение и наименование характеристики Характеристики в проводящем состоянии U FM Импульсное прямое напряжение, макс ХАРАКТЕРИСТИКИ Ед. изм. Значение В 1.45 =25 C; I FM=1256 A Условия измерения U F(TO) Пороговое напряжение, макс В.836 = max; r T Динамическое сопротивление, макс мом p I FAV < I T < 1.5 p I FAV Блокирующие характеристики I RRM Повторяющийся импульсный обратный ток, макс Динамические характеристики Q rr Заряд обратного восстановления, макс t rr Время обратного восстановления, макс I rrm Ток обратного восстановления, макс Тепловые характеристики R thjc Тепловое сопротивление p-n переход-корпус, макс Механические характеристики мa 4 мккл 9 мкс 18 A 1 w Масса, макс г 24 D s D a Длина пути тока утечки по поверхности Длина пути тока утечки по воздуху = max; U R=U RRM = max; I FM= A; di R/dt=-1A/мкс; U R=1 В; C/Вт.13 Постоянный ток мм (дюйм) мм (дюйм) 12.4 (4.882) 12.4 (4.882) МАРКИРОВКА 1. Д Низкочастотный диод 2. Конструктивное исполнение 3. Средний прямой ток, A 4. Полярность: Х обратная; прямая - не указывается 5. Класс по напряжению 6. Климатическое исполнение по ГОСТ 1515: УХЛ2, Т2 asenergi Д161-х-16 2 из 1

3 ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ Тип корпуса: SD6 К катод, A анод Все размеры в миллиметрах (дюймах) Тип Резьбы W H Метрическая Резьба Тип A (по требованию) M16x1,5 8g 13 Метрическая Резьба Тип B M2x1,5 8g 15 Пример Условное Цвета Полярность маркировки обозначение Анод Катод Катод на основании Д161-X-16 Черная трубка - asenergi Д161-х-16 3 из 1

4 C 19 C Прямой ток - I FM, А 8 6 2,6,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 Прямое напряжение - U FM, В Рис. 1 Предельная вольт амперная характеристика Аналитическая функция предельной вольт амперной характеристики: U F = A+B i F +C ln (i F +1 )+D i F Коэффициенты для графика = 25 o C = max A,8979,56957 B,35661,5214 C,25627,5783 D, ,2841 Модель предельной вольт амперной характеристики (см. Рис. 1). asenergi Д161-х-16 4 из 1

5 1 DSC.13 K/Вт Переходное тепловое сопротивление Z thjc, K/Вт,1,1,1, Время t, c Рис. 2 Зависимость переходного теплового сопротивления Z thjc от времени t Aналитическая зависимость переходного теплового сопротивления переход корпус: Где i = 1 до n, n число суммирующихся элементов. Z thjc n i1 t = продолжительность импульсного нагрева в секундах. Z thjc = Тепловое сопротивление за время t. R i, t i = расчетные коэффициенты, приведенные в таблице. Постоянный ток R i 1 e i R i, K/Вт t i, с t i Модель переходного теплового сопротивления переход - корпус (см. Рис. 2) asenergi Д161-х-16 5 из 1

6 = 19 C I FM = A Интегральный заряд обратного восстановления - Qrr-i, мккл Скорость спада тока - di/dt, А/мкс Рис. 3 Зависимость максимального интегрального заряда обратного восстановления Q rr-i от скорости спада прямого тока di R/dt = 19 C I FM = A Заряд обратного восстановления - Qrr, мккл Скорость спада тока - di/dt, А/мкс Рис. 4 Зависимость максимального заряда обратного восстановления Q rr от скорости спада прямого тока di R/ dt (по ГОСТ 24461, хорда 25%) asenergi Д161-х-16 6 из 1

7 = 19 C I FM = A Ток обратного восстановления - IrrM, А Скорость спада тока - di/dt, А/мкс Рис. 5 Зависимость максимального тока обратного восстановления I rrm от скорости спада прямого тока di R/dt 1 = 19 C I FM = A Время обратного восстановления - trr, мкс Скорость спада тока - di/dt, А/мкс Рис. 6 - Зависимость максимального времени обратного восстановления t rr от скорости спада прямого тока di R/dt (по ГОСТ 24461, хорда 25%) asenergi Д161-х-16 7 из 1

8 13 12 Средняя прямая рассеиваемая мощность P F(AV), Вт 11 Ѳ=18º 9 Ѳ=12º 8 7 Ѳ=9º 6 Ѳ=6º 5 Ѳ=3º Ѳ - угол проводимости тока синусоидальной формы Средний прямой ток I F(AV), А Рис. 7 - Зависимость потерь мощности P FAV от среднего прямого тока I FAV синусоидальной формы при различных углах проводимости (f=5 Гц, двустороннее охлаждение) Средняя прямая рассеиваемая мощность P F(AV), Вт DC Ѳ=18º Ѳ=12º Ѳ=9º Ѳ=6º Ѳ=3º Ѳ - угол проводимости тока прямоугольной формы Средний прямой ток I F(AV), А Рис. 8 Зависимость потерь мощности P FAV от среднего прямого тока I FAV прямоугольной формы при различных углах проводимости (f=5 Гц, двустороннее охлаждение) asenergi Д161-х-16 8 из 1

9 8 Средний прямой ток I F(AV), A Ѳ=18º Ѳ=12º Ѳ=9º Ѳ=6º Ѳ=3º 1 Ѳ - угол проводимости тока синусоидальной формы Температура корпуса T C, C Рис. 9 Зависимость среднего прямого тока I FAV от температуры корпуса T C для синусоидальной формы тока при различных углах проводимости (f=5 Гц, Двустороннее охлаждение) Средний прямой ток I F(AV), A DC Ѳ=18º Ѳ=12º Ѳ=9º Ѳ=6º Ѳ=3º 1 Ѳ - угол проводимости тока прямоугольной формы Температура корпуса T C, C Рис. 1 - Зависимость среднего прямого тока I FAV от температуры корпуса T C для прямоугольной формы тока при различных углах проводимости (f=5 Гц, Двустороннее охлаждение) asenergi Д161-х-16 9 из 1

10 1 = 19 C 1 Ударный прямой ток I FSM, ка 1 I FSM :U rm <1 В I FSM :U rm =.67U RRM I 2 t:u rm <1 В 1 Защитный фактор I 2 t, ка 2 с I 2 t:u rm =.67U RRM 1, Длительность импульса t p, мс Рис. 11 Зависимость максимальной амплитуды ударного прямого тока I FSM и защитного фактора I 2 t от длительности импульса t p 1 = 19 C U rm <1 В Ударный прямой ток I FSM, ka U rm =.67U RRM Количество импульсов n p Рис. 12 Зависимость максимальной амплитуды ударного прямого тока I FSM от количества импульсов n p asenergi Д161-х-16 1 из 1


Двухпозиционный Диодный Модуль МДx F

Двухпозиционный Диодный Модуль МДx F Все размеры в миллиметрах (дюймах) ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Изолированное основание Корпус промышленного стандарта Упрощенная механическая конструкция, быстрая сборка Прижимная конструкция Двухпозиционный Диодный

Подробнее

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкие динамические потери Малый заряд обратного восстановления Разветвленный управляющий электрод для высоких скоростей нарастания тока Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ273-2000-20

Подробнее

ДЛ ЛАВИННЫЙ ДИОД МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ. V RRM = В I F(AV) = 2000 А (T C = 100 C) I FSM = 30 кa (T j = 175 C)

ДЛ ЛАВИННЫЙ ДИОД МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ. V RRM = В I F(AV) = 2000 А (T C = 100 C) I FSM = 30 кa (T j = 175 C) ЛАВИННЫЙ ДИОД V RRM = 1600-2000 В I F(AV) = 2000 А (T C = 100 C) I FSM = 30 кa (T j = 175 C) минимальные потери пригодны для последовательного и параллельного соединения (малый разброс Q rr, V FM, I RRM

Подробнее

МДД-80, МДДК-80, МДДА-80

МДД-80, МДДК-80, МДДА-80 М О Д У Л И Д И О Д Н Ы Е Н И З К О Ч А С Т О Т Н Ы Е V RRM = 400-1600 В I F(AV) = 80 А (T C = 100 C) I FSM = 2 кa (T j = 140 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное основание

Подробнее

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкочастотный Тиристор ысокая стойкость к электротермоциклированию Низкие статические и динамические потери Разработан для промышленного применения Средний прямой ток Повторяющееся

Подробнее

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 600 А (T C = 85 C) I T(AV) = 750 А (T C = 70 C) I TSM = 11 кa (T j = 125 C) ТИРИСТОР НИЗКОЧАСТОТНЫЙ внутреннее усиление сигнала управления минимальные потери в открытом

Подробнее

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс V DRM /V RRM = 300-1800 В I T(AV) = 100 А (T C = 85 C) I TSM = 2 кa (T j = 140 C) ТИРИСТОР НИЗКОЧАСТОТНЫЙ герметичный металлокерамический корпус низкие потери в открытом состоянии МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË6-00, ÄË6-50, ÄË7-30, ÄË7-400 Äèîäû ëàâèííûå íèçêî àñòîòíûå ñ ãèáêèì âûâîäîì ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â âûïðÿìèòåëüíûõ óñòðîéñòâàõ, èñòî íèêàõ ïèòàíèÿ è óñòðîéñòâàõ çàùèòû îò ïåðåíàïðÿæåíèé.

Подробнее

ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ Т2-160 V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 3,5 ка. (di T /dt) crit A/мкс

ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ Т2-160 V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 3,5 ка. (di T /dt) crit A/мкс V DRM /V RRM = 400-1000 В I T(AV) = 165 А (T C = 85 C) I TSM = 3,5 кa (T j = 125 C) фланцевая конструкция корпуса ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ допускают эксплуатацию в условиях центробежных и тангенциальных ускорений

Подробнее

АСИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР ТАИ

АСИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР ТАИ V DRM = 2400-3400 В I T(AV) = 815 А (T C = 85 C) I T(AV) = 1030 А (T C = 70 C) I TSM = 16 кa (T j = 125 C) АСИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР низкие времена выключения разветвлённый управляющий электрод с усилением

Подробнее

ТИРИСТОР БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ (ЧАСТОТНО-ИМПУЛЬСНЫЙ) ТБИ V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 2,5 ка

ТИРИСТОР БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ (ЧАСТОТНО-ИМПУЛЬСНЫЙ) ТБИ V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 2,5 ка ТИРИСТОР БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ (ЧАСТОТНО-ИМПУЛЬСНЫЙ) V DRM /V RRM = 600-1200 В I T(AV) = 105 А (T C = 85 C) I T(AV) = 130 А (T C = 70 C) I TSM = 2,5 кa (T j = 125 C) внутреннее усиление сигнала управления

Подробнее

МТТ- 80, МТД- 80, МДТ- 80

МТТ- 80, МТД- 80, МДТ- 80 Предлагаем ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ РАЗЪЕМЫ (радиодетали) МТТ80 МТД80 МДТ80 СО СКЛАДА И ПОД ЗАКАЗ Беларусь г.минск тел./факс 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by Техническая информация

Подробнее

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкие динамические потери Малый заряд обратного восстановления Разветвленный управляющий электрод для высоких скоростей нарастания тока Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ773-2000-25

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ142-63, ДЧ142-63Х, ДЧ142-80, ДЧ142-80Х,

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ142-63, ДЧ142-63Х, ДЧ142-80, ДЧ142-80Х, ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ, Х,, Х,, Х,, Х,, Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются в различных преобразователях

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 80 А (T C = 87 C) I TSM = 1,6 кa (T j = 125 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное основание прижимная

Подробнее

ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ЛАВИННЫЕ ДЧЛ , ДЧЛ , ДЧЛ

ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ЛАВИННЫЕ ДЧЛ , ДЧЛ , ДЧЛ ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ЛАВИННЫЕ Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока и применяются в различных преобразователях электроэнергии.

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ112-10, ДЧ112-10Х, ДЧ ДЧ112-16Х, ДЧ122-20, ДЧ122-20Х, ДЧ122-25, ДЧ122-25Х

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ112-10, ДЧ112-10Х, ДЧ ДЧ112-16Х, ДЧ122-20, ДЧ122-20Х, ДЧ122-25, ДЧ122-25Х ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ-0, ДЧ-0Х, ДЧ-6 ДЧ-6Х, ДЧ-0, ДЧ-0Х, ДЧ-5, ДЧ-5Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются

Подробнее

МТТ-250, МТТА-250, МТД-250, МТДА-250, МДТ-250, МДТА-250

МТТ-250, МТТА-250, МТД-250, МТДА-250, МДТ-250, МДТА-250 М О Д У Л И Т И Р И С Т О Р Н Ы Е Н И З К О Ч А С Т О Т Н Ы Е V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 250 А (T C = 85 C) I TSM = 8 кa (T j = 125 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä Õ, Ä , Ä Õ

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä Õ, Ä , Ä Õ ÄÈÎÄÛ Ä730, Ä7400, Ä7400Õ, Ä7500, Ä7500Õ Äèîäû ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà ðàçëè íûõ ñèëîâûõ ýëåêòðîòåõíè åñêèõ óñòàíîâîê àñòîòîé äî 500 Ãö, à òàêæå â ïîëóïðîâîäíèêîâûõ

Подробнее

ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ДЧ , ДЧ , ДЧ , ДЧ , ДЧ

ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ДЧ , ДЧ , ДЧ , ДЧ , ДЧ ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ДЧ3350, ДЧ3330,, ДЧ43500, ДЧ43800 Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока и применяются в различных

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ132-32, ДЧ132-32Х, ДЧ132-40, ДЧ132-40Х, ДЧ132-50, ДЧ132-50Х

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ132-32, ДЧ132-32Х, ДЧ132-40, ДЧ132-40Х, ДЧ132-50, ДЧ132-50Х ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ, Х,, Х,, Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются в различных преобразователях

Подробнее

ÄÈÎÄÛ. Ðåêîìåíäóåìûå îõëàäèòåëè. Охладители по ТУ У ОР

ÄÈÎÄÛ. Ðåêîìåíäóåìûå îõëàäèòåëè. Охладители по ТУ У ОР ÄÈÎÄÛ Ä6-00, Ä6-00Õ, Ä6-50, Ä6-50Õ, Ä6-30, Ä6-30Õ Äèîäû ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà ðàçëè íûõ ñèëîâûõ ýëåêòðîòåõíè åñêèõ óñòàíîâîê àñòîòîé äî 500 Ãö, à òàêæå â ïîëóïðîâîäíèêîâûõ

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË ÄÈÎÄÛ ÄË5350, ÄË53600, ÄË53000, ÄË53500 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ëàâèííûå äèîäû ÄË53, ÄË53 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ

Подробнее

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции ÄË330, ÄË33500, ÄË43800 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ëàâèííûå äèîäû ÄË330, ÄË33500, ÄË43800 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÄÈÎÄÍÛÅ ÁÛÑÒÐÎÂÎÑÑÒÀÍÀÂËÈÂÀÞÙÈÅÑß

ÌÎÄÓËÈ ÄÈÎÄÍÛÅ ÁÛÑÒÐÎÂÎÑÑÒÀÍÀÂËÈÂÀÞÙÈÅÑß ÌÎÄÓËÈ ÄÈÎÄÍÛÅ ÁÛÑÒÐÎÂÎÑÑÒÀÍÀÂËÈÂÀÞÙÈÅÑß Ìîäóëè äèîäíûå áûñòðîâîññòàíàâëèâàþùèåñÿ (ÌÄ Ä ) ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé êîìáèíàöèè àñòîòíûõ äèîäîâ. Ïðåäñòàâëåíû ñëåäóþùèìè òèïîèñïîëíåíèÿìè: ÌÄ Ä 8/300, ÌÄ Ä 8/35,

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä ÄÈÎÄÛ Ä350, Ä330 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä3 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ ñèëîâûõ óñòàíîâîê. Óñëîâèÿ ýêñïëóàòàöèè

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË ÄÈÎÄÛ ÄË53600, ÄË53000, ÄË53500 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ëàâèííûå äèîäû ÄË53 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ ñèëîâûõ óñòàíîâîê.

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä165-80, Ä , ÄË165-80, ÄË

ÄÈÎÄÛ Ä165-80, Ä , ÄË165-80, ÄË ÄÈÎÄÛ Ä6580, Ä6500, ÄË6580, ÄË6500 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä65, ÄË65 âûïóñêàþò íà òîêè 80 è 00 À íàïðÿæåíèåì îò 400 äî 600 Â â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ. Äèîäû

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË модуль тиристорный Минск т.80447584780 www.fotorele.net www.tiristor.by радиодетали, электронные компоненты email minsk7@tut.by tel.+375 9 758 47 80 мтс каталог, описание, технические, характеристики,

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä ÄÈÎÄÛ Ä33630, Ä33800, Ä33000 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä33 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ ñèëîâûõ óñòàíîâîê. Óñëîâèÿ

Подробнее

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Ä3500, Ä33600, Ä43000 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä3500, Ä33600, Ä43000 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ Ìîäóëè òèðèñòîðíûå (ÌÒÒ) è êîìáèíèðîâàííûå: òèðèñòîðíî-äèîäíûå (ÌÒÄ) è äèîäíî-òèðèñòîðíûå (ÌÄÒ) ïðåäñòàâëåíû ñëåäóþùèìè òèïîèñïîëíåíèÿìè: Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â

Подробнее

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ T , T , T , T , Ò

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ T , T , T , T , Ò ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ T383 T683 T83300 T583300 Ò830 Òèðèñòîðû òàáëåòî íîé êîíñòðóêöèè Êîíñòðóêöèÿ òèðèñòîðîâ Вывод анода 3.5 х min отв. Вывод управляющего электрода Дополнительный вывод катода L= ìì ðàññòîÿíèå ïî

Подробнее

Модули тиристорные и комбинированные

Модули тиристорные и комбинированные МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/3-1, МДT13/3-1, МTД13/3-1, МТТ13/4-1,, МT17/1-1 (в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием) состоят из силовых полупроводниковых элементов: тиристоров,

Подробнее

ДИОДЫ ДЛ ДЛ

ДИОДЫ ДЛ ДЛ ДИОДЫ ДЛ563300 ДЛ573300 ДЛ5734000 ДЛ5735000 Общие сведения Назначение и область применения Диоды ДЛ563, ДЛ573 выпускают на токи от 300 до 5000 А таблеточного исполнения с повышенной термодинамической устойчивостью.

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ Модули тиристорные и комбинированные МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT0/3-00 МДT0/3-00 МTД0/3-00 МТТ0/4-00 МТТ0/5-00 МTT0/3-50 МДT0/3-50 МTД0/3-50 МТТ0/4-50 МТТ0/5-50 МTT0/3-30 МДT0/3-30 МTД0/3-30

Подробнее

Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå è êîìáèíèðîâàííûå. Ìîäóëè äèîäíûå (ÌÄÄ) ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé êîìáèíàöèè äèîäîâ ñëåäóþùèõ òèïîèñïîëíåíèé:

Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå è êîìáèíèðîâàííûå. Ìîäóëè äèîäíûå (ÌÄÄ) ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé êîìáèíàöèè äèîäîâ ñëåäóþùèõ òèïîèñïîëíåíèé: Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå è êîìáèíèðîâàííûå ÌÎÄÓËÈ ÄÈÎÄÍÛÅ Ìîäóëè äèîäíûå (ÌÄÄ) ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé êîìáèíàöèè äèîäîâ ñëåäóþùèõ òèïîèñïîëíåíèé: ÌÄÄ6/3-60, ÌÄÄ6/3-00, ÌÄÄ6/3-50 ÌÄÄ8/3-5, ÌÄÄ8/3-60, ÌÄÄ8/3-00

Подробнее

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò115-6,3, Ò115-10, Ò115-16

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò115-6,3, Ò115-10, Ò115-16 ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò5-6,3, Ò5-0, Ò5-6 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òèðèñòîðû Ò5 âûïóñêàþò â êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ. Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ142-50, ТБ142-63, ТБ152-80, ТБ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ142-50, ТБ142-63, ТБ152-80, ТБ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ,,, Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое

Подробнее

ТД320А, ТД320Б. Ударный ток при tимп = 10 мс при температуре структуры +125 С. i 2 dt при tимп = 10 мс. ТД320А А 2 *с ТД320Б А 2 *с

ТД320А, ТД320Б. Ударный ток при tимп = 10 мс при температуре структуры +125 С. i 2 dt при tимп = 10 мс. ТД320А А 2 *с ТД320Б А 2 *с , Тиристоры серии ТД (ТУ 1.6.529.420-71, информационный материал 05.04.15-73) предназначены для работы на частоте до 500 Гц и характеризуются как тиристоры с повышенными динамическими параметрами, т.е.

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ, Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое время

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ Ìîäóëè òèðèñòîðíûå (ÌÒÒ) è êîìáèíèðîâàííûå: òèðèñòîðíî-äèîäíûå (ÌÒÄ) è äèîäíî-òèðèñòîðíûå (ÌÄÒ) ïðåäñòàâëåíû ñëåäóþùèìè òèïîèñïîëíåíèÿìè: ÌÒÒ6/3-60, ÌÒÄ6/3-60, ÌÄÒ6/3-60,

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ

ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ5-00, ÒÑ5-5, ÒÑ5-60 Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ m, m - êîíòðîëüíûå òî êè èçìåðåíèÿ èìïóëüñíîãî íàïðÿæåíèÿ â îòêðûòîì ñîñòîÿíèè; m - â îäíîé èç äâóõ òî åê; L =,0 ìì - ìèíèìàëüíîå

Подробнее

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò165-50, Ò165-63, Ò165-80, Ò

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò165-50, Ò165-63, Ò165-80, Ò ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò65-50, Ò65-63, Ò65-80, Ò65-00 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òèðèñòîðû Ò65 âûïóñêàþò íà òîêè 50, 63, 80 è 00 À íàïðÿæåíèåì îò 00 äî 600 Â â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ.

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT12/3500, МДT12/3500, МTД12/3500, МТТ12/4500, МТТ12/5500, МTT12/3630, МДT12/3630, МTД12/3630, МТТ12/4630, МТТ12/5630, МTT12/3800, МДT12/3800, МTД12/3800, МТТ12/4800,

Подробнее

МТД12/ К2-1,38/1,3 ТУ У : шт. ООО «Элемент-Преобразователь»

МТД12/ К2-1,38/1,3 ТУ У : шт. ООО «Элемент-Преобразователь» МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT2/30, МДT2/30, МTД2/30, МТТ2/40, МТТ2/50, МTT2/3630, МДT2/3630, МTД2/3630, МТТ2/4630, МТТ2/5630, МTT2/3800, МДT2/3800, МTД2/3800, МТТ2/4800, МТТ2/5800 (в пластмассовом

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

ООО «Элемент-Преобразователь» тиристорные тиристорные и МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/363, МДT13/363, МTД13/363, МТТ13/463, МТТ13/563, МT17/163, МTT13/38, МДT13/38, МTД13/38, МТТ13/48, МТТ13/58, МT17/18 тиристорные и (в

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ115-6,3, ÒÑ115-10, ÒÑ115-16, ÒÑ115-25

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ115-6,3, ÒÑ115-10, ÒÑ115-16, ÒÑ115-25 ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ5-6,3, ÒÑ5-0, ÒÑ5-6, ÒÑ5-5 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òðèàêè ÒÑ5 âûïóñêàþò â êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ. Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

ООО «Элемент-Преобразователь» Беларусь г.минск тел./факс 8(017)5646 электронные компоненты радиодетали www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT14/3400, МДT14/3400, МTД14/3400, МTT14/30, МДT14/30,

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ Модули тиристорные и комбинированные МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT0/3-00, МДT0/3-00, МTД0/3-00, МТТ0/4-00, МТТ0/5-00, МTT0/3-50, МДT0/3-50, МTД0/3-50, МТТ0/4-50, МТТ0/5-50, МTT0/3-30, МДT0/3-30,

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ , ТБ , ТБ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ , ТБ , ТБ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ,, Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое время

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ3-500, ÒÑ3-630, ÒÑ3-800, ÒÑ3-000 Òðèàêè ñîîòâåòñòâóþò ÒÓ Ó 3.-30077685-07:005. Âèäû êëèìàòè åñêèõ èñïîëíåíèé ÓÕË, Ò3. Ãàáàðèòíî-ïðèñîåäèíèòåëüíûå ðàçìåðû è ìàññà òðèàêîâ 0,± 0,min 0,min 0,0 38±

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ33-50, ТБ33-30, ТБ33-400, ТБ43-400, ТБ43-500, ТБ43-630 Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

ООО «Элемент-Преобразователь» Модули Модули тиристорные тиристорные и Беларусь г.минск тел./факс 8(17)25646 электронные компоненты радиодетали www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/363, МДT13/363,

Подробнее

Модули диодные МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД13/3-1000, МДД13/4-1000, МДД13/5-1000, МДД13/3-1250, МДД13/4-1250, МДД13/5-1250, МД17/1-1000, МД17/1-1250

Модули диодные МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД13/3-1000, МДД13/4-1000, МДД13/5-1000, МДД13/3-1250, МДД13/4-1250, МДД13/5-1250, МД17/1-1000, МД17/1-1250 МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД3/3, МДД3/4, МДД3/5, МДД3/325, МДД3/425, МДД3/525, МД7/, МД7/25 Модули диодные (в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием) собраны по схемам, указанным ниже. Модули предназначены

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ Беларусь г.минск тел./факс 8(07)00-56-46 электронные компоненты радиодетали www.fotorele.net e:mail minsk7@tut.by Беларусь г.минск тел./факс 8(07)00-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk7@tut.by ТИРИСТОРЫ

Подробнее

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИЛОВЫЕ С ТРЁХФАЗНОЙ МОСТОВОЙ СХЕМОЙ М02/13

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИЛОВЫЕ С ТРЁХФАЗНОЙ МОСТОВОЙ СХЕМОЙ М02/13 МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИЛОВЫЕ С ТРЁХФАЗНОЙ МОСТОВОЙ СХЕМОЙ М0/3 Общие сведения Модули полупроводниковые силовые с мостовой схемой М0/3 с беспотенциальным основанием, состоят из силовых полупроводниковых

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ Т. транспорт мощные высоковольтные электропривода, работающие в циклическом режиме

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ Т. транспорт мощные высоковольтные электропривода, работающие в циклическом режиме СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенный быстродействующий диод обратного тока повышенная устойчивость к температурным циклам (не менее 100 000 циклов при T j = 70 C) корпус повышенной прочности с изолированным

Подробнее

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ-50-12Ч

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ-50-12Ч С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь М2ТКИ5012Ч I IGBT модуули www.elvpr.ru полумост корпус с изолированным основанием низкое значение энергий коммутационных потерь при включении E on и выключении E off оптимальные

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ-20-06. Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ-20-06. Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора М6ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ трехфазный мост корпус Econopack 2 с короткими выводами под пайку встроенные быстродействующие диоды обратного тока изолированное основание I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin

Подробнее

ТРИАКИ ТС , ТС , ТС , ТС

ТРИАКИ ТС , ТС , ТС , ТС ТРИАКИ ТС6-60, ТС6-00, ТС7-50, ТС7-30 Триаки предназначены для работы в бесконтактной коммутационной и регулирующей аппаратуре в цепях переменного тока частотой до 500 Гц. Конструкция триаков штыревая

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ30012К полумост кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ÑИЛОВЫЕ Ñ ОДНОФАЗНОЙ МОÑТОВОЙ ÑХЕМОЙ МО2/10

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ÑИЛОВЫЕ Ñ ОДНОФАЗНОЙ МОÑТОВОЙ ÑХЕМОЙ МО2/10 МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ÑИЛОВЫЕ Ñ ОДНОФАЗНОЙ МОÑТОВОЙ ÑХЕМОЙ МО/0 Общèå ñâåäåíèÿ Модули полупроводниковые силовые с мостовой схемой МО/0 с беспотенциальным основанием, состоят из силовых полупроводниковых

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6

ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6 ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå (ÌÒÎÒÎ) ñîñòîÿò èç äâóõ îïòîòèðèñòîðíûõ ýëåìåíòîâ ñî âñòðå íî-ïàðàëëåëüíîé ñõåìîé ñîåäèíåíèÿ â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì

Подробнее

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ5006 С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBT модуули www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin О С Н О В Н Ы Е

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ М2ТКИ220017 СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 300 А (T C = 80 C) I C Puls = 600 А

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 300 А (T C = 80 C) I C Puls = 600 А СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ30017К одиночный ключ, на основе IGBTкристаллов с вертикальным каналом (Trench Gate технология) встроенный быстродействующий диод обратного тока корпус с изолированным основанием

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МТКИ КT

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МТКИ КT СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ одиночный ключ кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом состоянии

Подробнее

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь одиночный ключ МТКИ360012КН кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

MIFA-HB12FA-100N Информационный лист IGBT модуля

MIFA-HB12FA-100N Информационный лист IGBT модуля MIF-HB12F-1N Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора Максимальный повторяющийся

Подробнее

MIAA-HB12FA-300N Информационный лист IGBT модуля

MIAA-HB12FA-300N Информационный лист IGBT модуля MI-HB12F-3N Информационный лист IGB модуля Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МДТКИ I C = 1200 А (T C = 25 C) I C = 600 А (T C = 80 C)

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МДТКИ I C = 1200 А (T C = 25 C) I C = 600 А (T C = 80 C) СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ МДТКИ60017 одиночный ключ с диодом чоппера (диод может быть подключен как со стороны эмиттера, так и со стороны коллектора с помощью внешних силовых шин) встроенный быстродействующий

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 600 А (T C = 80 C) I Cpuls = 1200 А (T C = 80 C)

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 600 А (T C = 80 C) I Cpuls = 1200 А (T C = 80 C) СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ60012К полумост кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ

МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ МГТСО4/6-00, МГТСО4/6-5, МГТСО4/6-60, МГТСО4/8-00, МГТСО4/8-5, МГТСО4/8-60, МГТСО8/6-00, МГТСО8/6-50, МГТСО8/6-30, МГТСО8/8-00, МГТСО8/8-50, МГТСО8/8-30, МГТСО8/-00, МГТСО8/-50,

Подробнее

MIFA-HB12FA-200N Информационный лист IGBT модуля

MIFA-HB12FA-200N Информационный лист IGBT модуля MIF-HB12F-2N Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора Максимальный повторяющийся

Подробнее

МДТКИ / МТКИД

МДТКИ / МТКИД МДТКИ220017 / МТКИД220017 I IGBTT моодуулии СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ одиночный ключ с диодом чоппера в цепи коллектора (МДТКИ220017) или эмиттера (МТКИД220017) встроенный быстродействующий диод обратного тока

Подробнее

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25 ФОТОТИРИСТОРЫ Фототиристор, содержащий полупроводниковый элемент ТО3-5, предназначен для работы в схемах дуговой защиты контактно - распределительных устройств (КРУ) и других устройствах электротехнического

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МТКИ К

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МТКИ К СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ одиночный ключ кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом состоянии

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм IGB модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB17FA-75N 17 В 75 A Особенности чипов IGB чип o rench FS V-Series IGB (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ мкс при 15 C o

Подробнее

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ-50-12К

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ-50-12К С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь I IGBT модуули www.elvpr.ru полумост кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes)

Подробнее

М2ТКИ В ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

М2ТКИ В ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBT модуули www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin эффективное значение напряжения пробоя

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ преобразователи

Подробнее

В 400 Максимально допустимый постоянный 6,0 А

В 400 Максимально допустимый постоянный 6,0 А N-канальный MOSFET Краткая характеристика Сопротивление сток-исток в открытом состоянии не более 0.95 Ом при U ЗИ = 10 В Заряд затвора (номинальная 25 нкл) Максимально допустимая температура перехода 150

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип IGB модуль в стандартном корпусе 62мм MIAA-HB12FA-2N 12 В 2 A Особенности чипов IGB чип o rench FS V-Series IGB (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при 15 C o

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ 2. ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ 2. ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ 2. ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ Технические данные СПМ включают сведения о выпускаемых предприятием модулях и схемах их соединений. Технические данные модулей распределены по следующим основным группам:

Подробнее

400 В сток-исток Максимально допустимый постоянный 10,0 А

400 В сток-исток Максимально допустимый постоянный 10,0 А N-канальный MOSFET Краткая характеристика Сопротивление сток-исток в открытом состоянии не более 0.55 Ом при U ЗИ = 10 В Заряд затвора (номинальная 38 нкл) Максимально допустимая температура перехода 150

Подробнее

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25 модуль тиристорный Минск т.80447584780 www.fotorele.net www.tiristor.by радиодетали, электронные компоненты email minsk7@tut.by tel.+375 9 758 47 80 мтс каталог, описание, технические, характеристики,

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB12FA-1N 12 В 1 A Особенности чипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji -го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при 15

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB12FA-15N 12 В 15 A Особенности чипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при

Подробнее

«ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ»

«ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» М2ТКИ150122КН / МДТКИ150122КН / МТКИД150122КН О С О Б Е Н Н О С Т И кристаллы IGBT Trench Fieldstop 4го поколения кристаллы диодов Emitter Controlled 4го поколения сверхнизкие потери в открытом состоянии

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм MIAA-HB12FA-4N 12 В 4 A Особенности чипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение UCE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при 15

Подробнее

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ М2ТКИ7512КЧ / МДТКИ7512КЧ / МТКИД7512КЧ О С О Б Е Н Н О С Т И кристаллы IGBT Fast Trench Fieldstop 4го поколения кристаллы диодов Emitter Controlled 4го поколения низкие суммарные динамические потери частоты

Подробнее

КД510А, КД521А, КД521В, КД522Б

КД510А, КД521А, КД521В, КД522Б ФГУП "Саранский завод точных приборов" 430003 Россия Республика Мордовия г. Саранск ул. Рабочая 111 т./ф.(8-8342) 24-24-90 24-43-86 E-mail: sztp@saransk-com.ru sztp@moris.ru КД510А КД521А КД521В КД522Б

Подробнее

Приложение А (обязательное) Справочные данные диодов и диодных сборок

Приложение А (обязательное) Справочные данные диодов и диодных сборок Приложение А (обязательное) Справочные данные диодов и диодных сборок Значения электрических параметров и тепловое сопротивление диодов и диодных сборок при tк = (251) С приведены в таблице А.1. Таблица

Подробнее

МОДУЛИ СИМИСТОРНЫЕ МТСТС4/4, МТСТС4/5, МПТСТС4/5

МОДУЛИ СИМИСТОРНЫЕ МТСТС4/4, МТСТС4/5, МПТСТС4/5 МОДУЛИ СИМИСТОРНЫЕ МТСТС/, МТСТС/5, МПТСТС/5 Общие сведения Модули симисторные состоят из двух силовых полупроводниковых элементов тиристорных симметричных (триаков) в пластмассовом корпусе с беспотенциальным

Подробнее

СОЕДИНИТЕЛИ ТИПА СНО49, СНО50

СОЕДИНИТЕЛИ ТИПА СНО49, СНО50 СОЕДИНИТЕЛИ ТИПА СНО49, СНО50 ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ Соединители электрические низкочастотные прямоугольные типов СНО49 (одинарные) и СНО50 (сдвоенные) внутреннего монтажа, предназначенные для работы в электрических

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для примене ния в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее